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如何在掃描電鏡中實(shí)現(xiàn)高分辨率的斷層和晶體缺陷檢測(cè)

在掃描電鏡（SEM）中實(shí)現(xiàn)高分辨率的斷層和晶體缺陷檢測(cè)通常需要使用一些技術(shù)和儀器。

9月22日~24日，由中科院物理所表面物理國家實(shí)驗(yàn)室、澤攸科技、松山湖材料實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合舉辦的“2023原位電鏡技術(shù)與應(yīng)用研討會(huì)暨澤攸科技用戶交流會(huì)”在廣東惠州成功舉辦。

掃描電鏡中的電子束與樣品相互作用并產(chǎn)生圖像的過程涉及到多種物理和電子學(xué)原理。

掃描電鏡中的冷陰極和熱陰極是產(chǎn)生電子束的兩種不同方式，它們之間有以下主要區(qū)別：

臺(tái)式掃描電鏡的數(shù)據(jù)導(dǎo)出和圖像處理方法通常包括以下步驟：

在臺(tái)式掃描電鏡中選擇掃描速度和掃描模式取決于您的具體實(shí)驗(yàn)和觀察需求。

掃描電鏡中的電子束與樣品相互作用可能導(dǎo)致多種影響和損傷，這取決于電子束的能量、強(qiáng)度和樣品的性質(zhì)。

掃描電鏡中的電子束產(chǎn)生和控制是關(guān)鍵的操作步驟，它們直接影響到成像的質(zhì)量和分辨率。