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掃描電鏡中的電子束和樣品間的相互作用是如何影響成像的？

掃描電鏡（SEM）?中的電子束與樣品之間的相互作用是影響成像質(zhì)量的關(guān)鍵因素。

在掃描電鏡（SEM）?中，導(dǎo)電性差的樣品（如非金屬或高電阻材料）會導(dǎo)致成像問題，特別是由于靜電積累。

在掃描電鏡 (SEM) 中，分辨率和視場大小的平衡是顯微成像的重要考量。

在掃描電鏡 (SEM) 中，電子束散射對成像效果有顯著影響，尤其是在分辨率、圖像對比度和信噪比等方面。

掃描電子顯微鏡（SEM）?的分辨率在很大程度上受到電子束條件的影響。電子束的加速電壓、束斑直徑、探測器類型、束流強度等參數(shù)都會直接或間接地影響成像效果和分辨率。

在掃描電子顯微鏡（SEM）?中，低導(dǎo)電材料的成像效果常常會受到樣品充電效應(yīng)的影響。

在掃描電鏡（SEM）?中進(jìn)行晶體學(xué)分析和取向圖譜（Orientation Map）測量，通常需要使用電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)。

掃描電鏡（SEM）的真空系統(tǒng)在圖像質(zhì)量方面起著至關(guān)重要的作用，主要通過以下幾個方面影響圖像的清晰度、對比度以及噪聲水平。