要避免樣品在掃描電鏡（SEM）中受到輻射損傷，可以采取以下措施：

使用適當(dāng)?shù)墓ぷ骶嚯x：將電子束與樣品之間的工作距離保持在較遠(yuǎn)的范圍內(nèi)。增加工作距離可以減少電子束對(duì)樣品的輻射。

降低電子束電流：減少電子束的電流，以降低能量輸入，從而減少樣品的輻射損傷。

使用低電子束能量：選擇較低的電子束能量，通常在1-5千伏之間，以減少電子束的穿透能力。

使用樣品導(dǎo)電涂層：在非導(dǎo)電樣品上涂覆薄薄的導(dǎo)電涂層，如金屬薄膜，以提高導(dǎo)電性，減少充電效應(yīng)。

控制掃描速度：降低掃描速度可以減少每個(gè)像素點(diǎn)的電子束暴露時(shí)間。

適當(dāng)?shù)睦鋮s：對(duì)于易受熱損傷的樣品，可以考慮在SEM操作期間使用樣品冷卻系統(tǒng)，以減小樣品溫度。

限制分析時(shí)間：在分析中盡量減少電子束的暴露時(shí)間，避免過長時(shí)間的掃描。

使用低真空模式：在SEM中使用低真空模式可以減少電子束對(duì)樣品的輻射損傷，因?yàn)榈驼婵諚l件下電子與氣體分子相互作用較少。

優(yōu)化SEM參數(shù)：根據(jù)具體的樣品和分析需求，優(yōu)化SEM參數(shù)，以降低電子束對(duì)樣品的影響。

進(jìn)行先行實(shí)驗(yàn)：在正式實(shí)驗(yàn)之前進(jìn)行一些試驗(yàn)性的SEM操作，以確定合適的參數(shù)，以減少樣品的損傷。

定期檢查樣品：定期檢查樣品，確保沒有明顯的損傷或變化。

ZEM20臺(tái)式掃描電鏡

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