掃描電鏡二次電子成像通常具有較淺的深度焦點，這意味著它對樣品表面上的微小結構和拓撲特征具有較好的分辨率，但不適用于深度信息的獲取。這個深度焦點是由于以下幾個原因：

次級電子的產生機制： 在SEM中，二次電子主要是由高能電子束與樣品表面相互作用產生的。這些次級電子是從樣品表面相對較淺的區(qū)域產生的，通常只有幾納米到數(shù)十納米的深度。因此，SEM的深度焦點主要位于樣品表面附近。

電子束的聚焦： SEM中使用的電子槍和透鏡系統(tǒng)是為了將電子束聚焦到樣品表面附近，以獲得高分辨率的表面成像。這意味著電子束的焦點是在樣品表面，而不是在樣品內部。

樣品導電性： SEM對于導電性樣品的成像效果更好，因為導電性樣品可以更有效地導出次級電子。非導電性樣品可能需要額外的處理，如金屬涂層，以獲得清晰的成像。

雖然SEM的深度焦點通常較淺，但可以通過調整電子束的能量、樣品的傾斜角度或使用其他成像模式（例如背散射電子成像）來增加深度焦點。

ZEM18臺式掃描電鏡

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