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澤攸科技無掩膜光刻機(jī)在MEMS壓力傳感器制造中的應(yīng)用

日期:2024-04-29

在當(dāng)今的科技快速發(fā)展時(shí)代,微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)已成為推動現(xiàn)代傳感器技術(shù)革新的關(guān)鍵力量。MEMS壓力傳感器,作為其中的重要分支,廣泛應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)、航空航天、汽車工業(yè)等多個(gè)領(lǐng)域。隨著對傳感器性能要求的不斷提高,研究者們開始尋求新材料和新技術(shù),以實(shí)現(xiàn)更高靈敏度、更快響應(yīng)速度和更好穩(wěn)定性的壓力傳感器。

澤攸科技

本研究的核心在于探索基于二維(2D)材料PdSe2的壓阻式壓力傳感器。PdSe2作為一種新興的2D材料,因其應(yīng)變感應(yīng)性能和可調(diào)的電子特性而備受關(guān)注。然而,傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積(CVD)生長2D薄膜的方法存在一定的局限性,如復(fù)雜的轉(zhuǎn)移過程和高熱處理引入的晶格缺陷,這些都限制了2D材料在MEMS壓力傳感器中的應(yīng)用。

澤攸科技

針對以上問題,電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國家實(shí)驗(yàn)室李春教授課題組利用了澤攸科技的無掩膜光刻機(jī)成功制備了基于PdSe2薄膜的差壓傳感器,該設(shè)備以其獨(dú)特的納米壓電位移臺拼接技術(shù)、紅光引導(dǎo)曝光技術(shù)、所見即所得的特點(diǎn),以及OPC修正算法優(yōu)化圖形質(zhì)量的優(yōu)勢,為該實(shí)驗(yàn)提供了有力支持。

相關(guān)研究成果以"Differential pressure sensors based on transfer-free piezoresistive layered PdSe2 thin films"發(fā)表在期刊《Nanotechnology》上。

Nanotechnology

實(shí)驗(yàn)中,他們首先利用等離子體增強(qiáng)硒化(PES)技術(shù),在SiNx膜上直接生長了PdSe2多晶薄膜。這一創(chuàng)新的低溫生長過程不僅避免了傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積(CVD)過程中復(fù)雜的轉(zhuǎn)移步驟,還顯著提高了材料的應(yīng)變感應(yīng)性能。通過這種方法,研究團(tuán)隊(duì)成功制備了7.9 nm厚的PdSe2薄膜,并通過原子力顯微鏡(AFM)、拉曼光譜、X射線光電子能譜(XPS)和透射電子顯微鏡(TEM)等技術(shù)對薄膜的結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分進(jìn)行了全面的表征。

PdSe2薄膜的表征

PdSe2薄膜的表征

本工作從實(shí)驗(yàn)上證實(shí)了PdSe2薄膜的壓阻性能,這主要得益于其獨(dú)特的晶體結(jié)構(gòu)和電子特性。通過有限元分析(FEA)模擬了SiNx膜在不同壓力下的應(yīng)變分布,研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了一種U形電阻器,以確保在壓力作用下能夠產(chǎn)生較大的應(yīng)變,從而實(shí)現(xiàn)對PdSe2薄膜電阻變化的敏感檢測。

進(jìn)一步地,研究團(tuán)隊(duì)采用了Wheatstone橋電路設(shè)計(jì)來提高傳感器的溫度穩(wěn)定性,并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該設(shè)計(jì)在25°C至55°C范圍內(nèi)有效抑制了溫度漂移。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該傳感器在0至60 kPa的差壓范圍內(nèi)展現(xiàn)出了3.9 × 10^-4 kPa^-1的高靈敏度,并且響應(yīng)時(shí)間小于97毫秒,顯示了其在快速響應(yīng)壓力變化方面的潛力。

PdSe2薄膜差壓傳感器的性能

PdSe2薄膜差壓傳感器的性能

此外,研究還展示了該MEMS壓力傳感器在重復(fù)加載和卸載過程中的穩(wěn)定性和可靠性。通過在0至60 kPa的壓力范圍內(nèi)進(jìn)行循環(huán)測試,傳感器顯示出了良好的機(jī)械耐久性和電阻重復(fù)性,這對于實(shí)際應(yīng)用中的長期穩(wěn)定性至關(guān)重要。

澤攸科技無掩膜光刻機(jī)

澤攸科技無掩膜光刻機(jī)

在本研究中,澤攸科技的無掩膜光刻機(jī)發(fā)揮了至關(guān)重要的作用,它使得研究團(tuán)隊(duì)能夠以高精度在硅片上制造微米乃至納米級別的圖案,這對于微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)壓力傳感器的制造至關(guān)重要,其特點(diǎn)有:

1、納米壓電位移臺拼接技術(shù):該技術(shù)使得設(shè)備在進(jìn)行精細(xì)圖案加工時(shí),能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的定位和拼接,這對于制造高性能MEMS器件至關(guān)重要。

2、紅光引導(dǎo)曝光:配備的紅光引導(dǎo)系統(tǒng)使得操作者能夠直觀地觀察到曝光區(qū)域,提高了加工的準(zhǔn)確性和操作的直觀性。

3、所見即所得:操作界面設(shè)計(jì)直觀,用戶可以實(shí)時(shí)觀察到加工過程和結(jié)果,確保了加工的準(zhǔn)確性和重復(fù)性。

4、OPC修正算法:內(nèi)置的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正(OPC)算法能夠?qū)饪踢^程中可能出現(xiàn)的圖形失真進(jìn)行修正,優(yōu)化了圖形質(zhì)量,提高了加工的準(zhǔn)確性。

5、CCD相機(jī)逐場自動聚焦:配備的CCD相機(jī)能夠?qū)崿F(xiàn)逐場自動聚焦,確保了在不同場次的加工過程中,圖像的清晰度和聚焦精度。

6、灰度勻光技術(shù):通過準(zhǔn)確控制曝光光源的分布,實(shí)現(xiàn)了更加均勻的曝光效果,這對于提高圖案的一致性和質(zhì)量至關(guān)重要。

以上就是澤攸科技小編分享的澤攸科技無掩膜光刻機(jī)在MEMS壓力傳感器制造中的應(yīng)用。更多產(chǎn)品及價(jià)格請咨詢15756003283(微信同號)。

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作者:澤攸科技